TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TPC8110(TE12L,Q,M) |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP (5.5x6.0) |
Serie | U-MOSIII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
Grundproduktnummer | TPC8110 |
TPC8110(TE12L,Q,M) Einzelheiten PDF [English] | TPC8110(TE12L,Q,M) PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TPC8110(TE12L,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|